RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
56
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3247
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 5641152 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link