RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3625
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link