RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
56
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2353
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link