RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
56
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2588
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link