RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
56
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
13.5
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2588
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link