RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
56
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2918
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link