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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
56
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
33
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2918
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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