RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
79
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
79
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
1651
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link