RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
56
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3310
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link