RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
56
Около -155% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
18.8
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
3310
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link