RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
56
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3748
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link