RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
56
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3431
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link