RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
56
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
30
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3431
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link