RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
56
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3255
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link