RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
60
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.8
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2.8
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
60
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
2.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
1505
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link