RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
60
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
7.8
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2.8
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
60
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
7.8
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
1505
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link