RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
1900
Wokół strony 3.37% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
56
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
45
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
1900
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2387
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link