RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
56
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3778
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link