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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
56
左右 -133% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.1
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
24
读取速度,GB/s
4,387.7
20.1
写入速度,GB/s
1,813.5
16.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3778
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
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SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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