RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
62
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
62
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
1808
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link