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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
62
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.0
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
62
读取速度,GB/s
4,387.7
16.7
写入速度,GB/s
1,813.5
7.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
1808
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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