RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
52
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
2460
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link