RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3567
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link