RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
52
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
2761
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link