RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
52
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
14900
Wokół strony 1.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
23400
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
3093
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link