RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Porównaj
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2275
3157
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link