RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2275
2910
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link