RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Porównaj
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2275
2631
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link