RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
85
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
85
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1277
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link