RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 85
    周辺 69% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 12
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 5.4
    テスト平均値
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 85
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 12.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 5.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 1277

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAMの比較

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
メモリRAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
メモリRAM