RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3409
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link