RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2637
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link