RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2345
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link