RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3185
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link