RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2640
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link