RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2113
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link