RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link