RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
3026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link