RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link