RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2460
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link