RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2460
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link