RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3490
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link