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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3490
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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