RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3806
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link