RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
4151
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link