RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
4151
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link