RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3038
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link