RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3244
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link