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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
15.0
16.7
写入速度,GB/s
10.3
12.4
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3244
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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