RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3038
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link