RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3983
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link