RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
68
374
Wokół strony 82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
0.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
1.0
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
374
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
0.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
1.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
269
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link